由于眾所周知的原因，美國(guó)正在收緊高科技的出口，日前美國(guó)政府制定了一份新的高科技出口禁令，包括量子計(jì)算機(jī)、3D打印及GAA晶體管技術(shù)等在內(nèi)，這其中GAA晶體管技術(shù)是半導(dǎo)體行業(yè)的新一代技術(shù)關(guān)鍵。
大家都知道半導(dǎo)體工藝跟晶體管息息相關(guān)，目前臺(tái)積電、三星、Intel、格芯量產(chǎn)的先進(jìn)工藝普遍是基于FinFET鰭式晶體管的，從22nm工藝到明年才能量產(chǎn)的5nm工藝都使用了FinFET晶體管。
5nm往后半導(dǎo)體工藝制造愈發(fā)困難，要想獲得性能及密度改進(jìn)，晶體管就要轉(zhuǎn)向新一代結(jié)構(gòu)了，GAA環(huán)繞柵極晶體管就是最有希望的，三星去年就率先發(fā)布了3nm GAA工藝——3GAE。
根據(jù)官方所說(shuō)，基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu)，三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管)，該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。
此外，MBCFET技術(shù)還能兼容現(xiàn)有的FinFET制造工藝的技術(shù)及設(shè)備，從而加速工藝開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，最快2022年就能量產(chǎn)。
臺(tái)積電及Intel還沒(méi)有具體公開(kāi)3nm及以下工藝的詳情，不過(guò)5nm之后轉(zhuǎn)向GAA晶體管技術(shù)也是板上釘釘了，所以GAA晶體管技術(shù)會(huì)成為未來(lái)幾年里半導(dǎo)體工藝的新選擇。
美國(guó)封殺GAA晶體管技術(shù)出口，國(guó)內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際及華虹半導(dǎo)體是沒(méi)可能獲得外援了。不過(guò)話說(shuō)回來(lái)，即便沒(méi)有美國(guó)的封殺，國(guó)內(nèi)指望海外技術(shù)轉(zhuǎn)移升級(jí)GAA工藝也是沒(méi)可能的。
中芯國(guó)際今年可以量產(chǎn)14nm工藝，這是國(guó)產(chǎn)第一代的FinFET工藝，后續(xù)也有改進(jìn)型的12nm FinFET工藝，該工藝相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯(cuò)誤率降低20%。
根據(jù)中芯國(guó)際之前在財(cái)報(bào)會(huì)議上的信息，12nm工藝應(yīng)該是他們的N+1工藝，后續(xù)還會(huì)有更先進(jìn)的N+2代工藝，只不過(guò)官方?jīng)]有明確N+2是否就是7nm節(jié)點(diǎn)。
總之，美國(guó)現(xiàn)在禁止出口GAA工藝顯然是想封鎖中國(guó)公司的半導(dǎo)體技術(shù)能力，不過(guò)這件事目前來(lái)說(shuō)影響并不大，因?yàn)閲?guó)內(nèi)距離3nm工藝還有點(diǎn)距離，國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體公司也早就認(rèn)識(shí)到技術(shù)研發(fā)要以自己為主，加大投資、吸引更多人才自主研發(fā)才是解決問(wèn)題的關(guān)鍵。
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